离子注入后退火：加热注入硅片，修复晶格损伤，使杂质原子移动到晶格点，将其激活。 高温退火和快速热处理相比，快速热处理更优越。因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散，以及减小瞬间增强扩散。
标签：半导体技术,implant,asher
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离子注入后退火：加热注入硅片，修复晶格损伤，使杂质原子移动到晶格点，将其激活。 高温退火和快速热处理相比，快速热处理更优越。因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散，以及减小瞬间增强扩散。
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