很高兴为你解答!接下来刘学理谈一下自己的看法!
10N60参数为:场效应管
电压电流: 10A,600V
制造商零件编号: 10n60
种类: mosfet
沟道类型: n
最大耗散功率 (pd): 156
漏源电压 (uds): 600
栅源电压 (ugs): 30
最大漏极电流 (id): 10
最大工作温度 (tj), °c: 150
导通上升时间 (tr): 69
输出电容 (cd), pf: 166
静态的漏源极导通电阻 (rds), ohm: 0.72
封装形式: to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。
管子印有字体一面对着人脸,从左到右依次是一脚为G(栅极) ,二脚为D (漏极),三脚为S(源极)。
扩展资料:可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。
场效应管的测量方法:
主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的,不管是N沟道还是P沟道都一样,把芯片放正,从左到右分别为G极D极S极。
用二极管档对MOS管的测量,首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极,黑表笔接D极,如果测得有500多的数值,说明此管为N沟道。黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1。红笔移回到S极.此时管子应该为导通。
然后红笔测D极,而黑笔测S极.应该测得数值为1。(这1步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压,所以DS之间还是导通的,不过大概10几秒后才恢复正常,建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。
参考资料:
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标签:10n60,管角,排例